世界先進創新氮化鎵製程 邁入量產

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世界先進創新氮化鎵製程 邁入量產

世界先進於2018年以Qromis基板技術(簡稱QST)進行8吋QST基板的0.35微米650V電壓的GaN-on-QST製程開發,於今年第一季開發完成,於第四季成功量產,世界先進同時已和海內外IDM廠及IC設計公司展開合作。

世界先進表示,QST基板相較於以矽(Si)作爲基板,具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數(CTE),在製程中堆疊氮化鎵的同時,也能降低翹曲(warpage)破片,更有利於實現量產。

世界先進0.35微米650V電壓GaN-on-QST製程能與既有的8吋矽晶圓機臺設備在開發與生產上相互配合使用,以達最佳生產效率及良率。

根據客戶端的系統驗證結果,世界先進提供的氮化鎵晶圓於快充市場的應用上,針對65W以上的快充產品,其系統效率已達世界領先的水準。此外,基於QST基板的良好散熱特性,在整體快充方案效能上,世界先進提供的氮化鎵晶圓具有更優良的散熱表現。

世界先進0.35微米650V電壓GaN-on-QST製程除了650V的元件選擇之外,也提供內建靜電保護元件(ESD),客戶得以更便利的進行設計選擇。

此外,該製程除具備更優異的可靠性與信賴性,針對超過1000V更高電壓的擴充性,世界先進也已經與部分客戶展開合作,以滿足客戶的產品需求。

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